ข้อมูลในบทความนี้จะพูดถึงไฟฟ้ากระแส ม.5 หากคุณกำลังมองหาเกี่ยวกับไฟฟ้ากระแส ม.5มาเรียนรู้เกี่ยวกับหัวข้อไฟฟ้ากระแส ม.5กับPakamas Blogในโพสต์ฟิสิกส์ ม.5 บทที่ 14 ไฟฟ้ากระแส ep.4(การต่อตัวต้านทาน)นี้.
Table of Contents
ข้อมูลโดยละเอียดที่สุดเกี่ยวกับไฟฟ้ากระแส ม.5ในฟิสิกส์ ม.5 บทที่ 14 ไฟฟ้ากระแส ep.4(การต่อตัวต้านทาน)
ที่เว็บไซต์pakamasblog.comคุณสามารถเพิ่มข้อมูลอื่น ๆ นอกเหนือจากไฟฟ้ากระแส ม.5เพื่อความรู้ที่เป็นประโยชน์มากขึ้นสำหรับคุณ ที่เพจPakamasblog เราอัปเดตข่าวสารใหม่และแม่นยำสำหรับผู้ใช้เสมอ, ด้วยความตั้งใจที่จะให้บริการเนื้อหาที่สมบูรณ์ที่สุดสำหรับคุณ ช่วยให้คุณอัพเดทข้อมูลออนไลน์ได้อย่างละเอียดที่สุด.
หัวข้อที่เกี่ยวข้องกับหัวข้อไฟฟ้ากระแส ม.5
ฝากติดตามช่อง Physics by Teacher Note ด้วยนะครับ ในการโหลดเอกสาร ให้คลิก
เอกสารที่เกี่ยวข้องกับไฟฟ้ากระแส ม.5

นอกจากการหาข่าวเกี่ยวกับบทความนี้แล้ว ฟิสิกส์ ม.5 บทที่ 14 ไฟฟ้ากระแส ep.4(การต่อตัวต้านทาน) คุณสามารถค้นหาเนื้อหาเพิ่มเติมด้านล่าง
คำหลักที่เกี่ยวข้องกับไฟฟ้ากระแส ม.5
#ฟสกส #ม5 #บทท #ไฟฟากระแส #ep4การตอตวตานทาน.
ฟิสิกส์,ม.5,บทที่ 14,ไฟฟ้ากระแส,ep.4,เทอม2,ครูโน้ต,การต่อตัวต้านทาน,ไฟฟ้ากระแส ม.5.
ฟิสิกส์ ม.5 บทที่ 14 ไฟฟ้ากระแส ep.4(การต่อตัวต้านทาน).
ไฟฟ้ากระแส ม.5.
หวังว่าคุณค่าที่เรามอบให้จะเป็นประโยชน์กับคุณ ขอขอบคุณสำหรับการดูข้อมูลไฟฟ้ากระแส ม.5ของเรา
1. ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม (Carbon Composition)
2. ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ ( Metal Film)
3. ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอน ( Carbon Film)
4. ตัวต้านทานแบบไวร์วาวด์ (Wire Wound)
5. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มหนา ( Thick Film Network)
6. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มบาง ( Thin Film Network)
นายเจษฎาภรณ์ แซ่จึง เลขที่1 ม.5/2
1. ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม (Carbon Composition)
2. ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ ( Metal Film)
3. ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอน ( Carbon Film)
4. ตัวต้านทานแบบไวร์วาวด์ (Wire Wound)
5. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มหนา ( Thick Film Network)
6. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มบาง ( Thin Film Network)
นางสาวสุชาดา สามฉิมโฉม ม.5/1 เลขที่ 32
ตัวต้านทานแบบค่าคงที่ภายในประกอบด้วย
1. ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม (Carbon Composition)
2. ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ ( Metal Film)
3. ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอน ( Carbon Film)
4. ตัวต้านทานแบบไวร์วาวด์ (Wire Wound)
5. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มหนา ( Thick Film Network)
6. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มบาง ( Thin Film Network)
น.ส.ยุพาพรรณ จันทร์อ่ำ เลขที่28 ม.5/1
ตัวต้านทานแบบคงที่ภายใน ประกอบด้วย
1.ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม
2.ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ
3.ตัวต้านแบบฟิล์มคาร์บอน
4.ตัวต้านทานแบบไวร์ราวด์
5.ตัวต้านทานแบบฟิล์มหนา
6.ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มบาง
นางสาวอภิชดา สีหนู ม.5/1 เลขที่ 35
ตัวต้านทานแบบค่าคงที่ภายในประกอบด้วย
1. ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม (Carbon Composition)
2. ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ ( Metal Film)
3. ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอน (Carbon Film)
4. ตัวต้านทานแบบไวร์วาวด์ (Wire Wound)
5. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มหนา ( Thick Film Network)
6. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มบาง (Thin Film Network)
นาย ศิวกร สามศรียา ม.5/1 เลขที่ 13
ตัวต้านทานแบบค่าคงที่ภายในประกอบด้วย
1. ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม (Carbon Composition)
2. ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ ( Metal Film)
3. ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอน (Carbon Film)
4. ตัวต้านทานแบบไวร์วาวด์ (Wire Wound)
5. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มหนา ( Thick Film Network)
6. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มบาง (Thin Film Network)
นางสาว อรปรียา มูลสาร เลขที่ 37ม.5/1
ตัวต้านทานแบบคงที่ภายในประกอบด้วย
1. ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม (Carbon Composition)
2. ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ ( Metal Film)
3. ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอน ( Carbon Film)
4. ตัวต้านทานแบบไวร์วาวด์ (Wire Wound)
5. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มหนา ( Thick Film Network)
6. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มบาง ( Thin Film Network)
นางสาวปัทมา บุตรดี ม.5/2 เลขที่25
– ตัวต้านทานแบบคงที่ภายในประกอบด้วย
1. ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม
2. ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ
3. ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอน
4. ตัวต้านทานแบบไวร์ราวด์
5. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มหนา
6. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มบาง
นางสาววรฤทัย เนียมหมวด เลขที่ 39 ม.5/2
ตัวต้านทานแบบค่าคงที่ ได้แก่
1. ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม (Carbon Composition)
2. ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ ( Metal Film)
3. ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอน (Carbon Film)
4. ตัวต้านทานแบบไวร์วาวด์ (Wire Wound)
5. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มหนา ( Thick Film Network)
6. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มบาง (Thin Film Network)
นางสาวสิริโสภา อยู่อินทร์ เลขที่34 ม.5/2
ตัวต้านทานแบบคงที่ภายใน ประกอบด้วย
1.ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม
2.ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ
3.ตัวต้านแบบฟิล์มคาร์บอน
4.ตัวต้านทานแบบไวร์ราวด์
5.ตัวต้านทานแบบฟิล์มหนา
6.ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มบาง
นางสาวธัญสินี ชัยเหี้ยม ม.5/2 เลขที่20
ตัวต้านทานแบบค่าคงที่ภายในประกอบด้วย
1. ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม (Carbon Composition)
2. ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ ( Metal Film)
3. ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอน ( Carbon Film)
4. ตัวต้านทานแบบไวร์วาวด์ (Wire Wound)
5. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มหนา ( Thick Film Network)
6. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มบาง ( Thin Film Network)
นาย เอกราช เชื้อจีน เลขที่16 ม.5/1
ตัวต้านทานแบบค่าคงที่ภายในประกอบด้วย
1)ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม (Carbon Composition)
2)ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ ( Metal Flim)
3)ตัวต้านทานแบบฟิลม์คาร์บอน (Carbo Film)
4)ตัวต้านทานแบบไวน์วาวดู (Wire Wound)
5)ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มหนา (Thick Flim)
6) ตัวต้านทานแบบฟิลม์บาง (Thin Film)
นางสาว ธันยพร หมื่นจง ม.5/2 เลขที่21
1. ตัวต้านทานแบบคาร์บอน
2. ตัวต้านทานแบบชนิดฟิล์ม
3. ตัวต้านทานแบบไวร์วาวด์ (Wire Wound) หรือแบบพันขดลวด …
4. ตัวค้านทานแบบแผ่นฟิล์มหนา (Thick Film Network) …
5. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มบาง (Thin Film Network)
นางสาวนันทิชา ศิริพิน เลขที่ 16 ม.5/2
ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม
ประกอบด้วย วัสดุที่มีคุณสมบัติเป็นตัวต้านทานผสมกันระหว่างผงคาร์บอนและผงของฉนวน อัตราส่วนผสมของวัสดุทั้งสองชนิดนี้จะทำให้ค่าความต้ายทานมีค่ามากน้อยเปลี่ยนแปลงได้ตามต้องการ บริเวณปลายทั้งสองด้านของตัวต้านทานต่อด้วยลวดตัวนำ บริเวณด้านนอกของตัวต้านทานจะฉาบด้วยฉนวน
นายธนกร อินทร ม.5/2 เลขที่ 6
ตัวต้านทานแบบค่าคงที่ภายในประกอบด้วย
1.ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนประสม
2.ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ
3.ตัวต้านทานแบบสินคาบอน
4.ตัวต้านทานแบบไวร์วาวด์
5.ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มหนา
6.ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มบาง
น.ส ปัญญาภรณ์ มีจั่นเพชร ม 5/1 เลขที่ 24
ตัวต้านทานแบบค่าคงที่ภายในประกอบด้วย
1) ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม (Carbon Composition)
2) ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ ( Metal Film)
3) ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอน ( Carbon Film)
4) ตัวต้านทานแบบไวร์วาวด์ (Wire Wound)
5) ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มหนา ( Thick Film Network)
6) ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มบาง ( Thin Film Network)
นางสาว ขวัญจิรา อุ้ยคำตา ม.5/2 เลขที่19
คำตอบ
1. ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม (Carbon Composition)
2. ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ ( Metal Film)
3. ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอน (Carbon Film)
4. ตัวต้านทานแบบไวร์วาวด์ (Wire Wound)
5. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มหนา ( Thick Film Network)
6. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มบาง (Thin Film Network)
นางสาวจุฬาลักษณ์ ทองแท่งใหญ่ 5/1 19
ตัวต้านทานชนิดค่าคงที่มีหลายประเภท ดังนี้
1. ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม (Carbon Composition)
2. ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ ( Metal Film)
3. ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอน ( Carbon Film)
4. ตัวต้านทานแบบไวร์วาวด์ (Wire Wound)
5. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มหนา ( Thick Film Network)
6. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มบาง ( Thin Film Network)
นางสาวภิญญดา ส่องประทีป เลขที่28 ม.5/2
ตัวต้านทานแบบค่าคงที่ภายในประกอบด้วย
1. ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม (Carbon Composition)
2. ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ ( Metal Film)
3. ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอน ( Carbon Film)
4. ตัวต้านทานแบบไวร์วาวด์ (Wire Wound)
5. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มหนา ( Thick Film Network)
6. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มบาง ( Thin Film Network)
นางสาวนงนุช ชื่นชมยิ่ง ม.5/1 เลขที่ 22
ตัวต้านทานชนิดค่าคงที่มีหลายประเภทในการนำมาประกอบใช้ในวงจร ทางด้านอิเล็กทรอนิกส์โดยทั่วไป
1. ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม (Carbon Composition)
2. ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ ( Metal Film)
3. ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอน (Carbon Film)
4. ตัวต้านทานแบบไวร์วาวด์ (Wire Wound)
5. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มหนา ( Thick Film Network)
6. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มบาง (Thin Film Network)
นายนรเศรษฐ์ บุญเรืองยศศิริ เลขที่ 9 ม.5/1
ตัวต้านทานชนิดค่าคงที่ (fixed resistors) เป็นตัวต้านทานที่มีค่าความต้านทานแน่นอนไม่สามารถเปลี่ยนแปลงได้ ตัวต้านทานชนิดนี้บางแบบทำมาจากคาร์บอนเคลือบด้วยพลาสติกหรือเซรามิคแข็งสีดำหรือสีน้ำตาล แต่บางแบบทำด้วยสารจำพวกโลหะออกไซด์ ตัวต้านทานชนิดนี้โดยทั่วไปจะมีค่าผิดพลาดน้อย และมีลักษณะเป็นทรงกระบอกขนาดเล็กที่มีสีและมีแถบสีคาดโดยรอบ มีขาโลหะยื่นออกมาทั้ง 2 ด้าน
นาย จิรายุทธ สร้อยยอดทอง เลขที่ 5 ม.5/2
ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอน เป็นตัวต้านทานแบบค่าคงที่โดยการฉาบผงคาร์บอนลงบนแท่งเซรามิคซึ่งเป็นฉนวน หลังจากที่ทำการเคลือบแล้วจะตัดฟิล์มเป็นวงแหวนเหมือนเกลียวน๊อต
น.ส.ปณิศา เพชรประดับ เลขที่24 ม.5/2
ตัวต้านทานชนิดค่าคงที่มีหลายประเภท ที่นิยมในการนำมาประกอบใช้ในวงจรทางด้านอิเล็กทรอนิกส์โดยทั่วไปมีดังนี้
1. ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม (Carbon Composition)
2. ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ ( Metal Film)
3. ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอน ( Carbon Film)
4. ตัวต้านทานแบบไวร์วาวด์ (Wire Wound)
5. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มหนา ( Thick Film Network)
6. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มบาง ( Thin Film Network)
นาย ธีรภัทร ล่าบ้านหลวง เลขที่7 ม.5/2
ตัวต้านทานแบบคงที่ภายในประกอบด้วย
1.ตัวต้านทานชนิดคาร์บอน
2.ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ
3.ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอน
4.ตัวต้านทานแบบไวร์วาวด์
5.ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มหนา
6.ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มบาง
นางสาวญาณภัทร อาจน้อย ม.5/1 เลขที่ 20
ตัวต้านทานแบบค่าคงที่ภายในประกอบด้วย
1. ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม (Carbon Composition)
2. ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ ( Metal Film)
3. ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอน ( Carbon Film)
4. ตัวต้านทานแบบไวร์วาวด์ (Wire Wound)
5. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มหนา ( Thick Film Network)
6. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มบาง ( Thin Film Network)
นางสาว มัญชุพร สรงพรมทิพย์ ชั้น5/2 เลขที่29
ตัวต้านทานแบบคงที่ภายใน ประกอบด้วย
1.ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม
2.ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ
3.ตัวต้านแบบฟิล์มคาร์บอน
4.ตัวต้านทานแบบไวร์ราวด์
5.ตัวต้านทานแบบฟิล์มหนา
6.ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มบาง
นางสาว พัชรพร สูงสันเขต ม.5/2 เลขที่ 26
ตัวต้านแบบค่าคงที่ภายในประกอบด้วย
1. ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม (Carbon Composition)
2. ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ ( Metal Film)
3. ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอน (Carbon Film)
4. ตัวต้านทานแบบไวร์วาวด์ (Wire Wound)
5. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มหนา ( Thick Film Network)
6. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มบาง (Thin Film Network)
นางสาวสุภัสสร จิตชัย ชั้นม.5/1 เลขที่ 34.
ตัวต้านทานแบบค่าคงที่ ภายในประกอบด้วย
1. ตัวต้านทานแบบคาร์บอน
2. ตัวต้านทานแบบชนิดฟิล์ม
3. ตัวต้านทานแบบไวร์วาวด์
4. ตัวค้านทานแบบแผ่นฟิล์มหนา
5. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มบาง
นางสาวจุตฑามาส ไทรแก้ว เลขที่18 ม.5/1
ตัวต้านทานแบบค่าคงที่ภายในประกอบด้วย
1. ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม
2. ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ
3. ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอน
4. ตัวต้านทานแบบไวร์วาวด์
5. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มหนา
6. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มบาง
นางสาวดวงหทัย แซ่ลิ้ม ม.5/1 เลขที่ 21
ตัวต้านทานแบบคาร์บอน (ค่าความผิดพลาด 5%)
ตัวต้านทานขนิดนี้ มักจะพบเห็นกันอยู่บ่อยๆในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ต่างๆ ผลิตด้วยการฉาบผงคาร์บอนลงบนแท่งเซรามิคซึ่งเป็นฉนวน เคลือบฟิล์มคาร์บอนในปริมาณน้อยจะทำให้ความต้านทางสูง กลับกันหากเคลือบฟิล์มคาร์บอนในปริมาณมาก จะทำให้ค่าความต้านทานต่ำ โดยข้อสักเกตุ มักจะเป็น ตัวต้านทานแบบ 4 แถบ และมีค่าความผิดพลาดอยู่ที่ 5%
นางสาวชลธิชา ชีวะธรรมรัตน์ ชั้นม.5/1 เลขที่39
⚡️💡ตัวต้านทานแบบคงที่ภายในประกอบด้วย 🔌⚡️
1. ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม
2. ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ
3. ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอน
4. ตัวต้านทานแบบไวร์วาวด์
5. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มหนา
6. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มบาง
นายสุธัช วงศ์อารีย์ ม.5/2 เลขที่12
ตัวต้านทานแบบคงที่ภายในมีหลายประเภท ได้แก่
1. ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม (Carbon Composition)
2. ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ ( Metal Film)
3. ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอน ( Carbon Film)
4. ตัวต้านทานแบบไวร์วาวด์ (Wire Wound)
5. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มหนา ( Thick Film Network)
6. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มบาง ( Thin Film Network)
นายอภิรักษ์ เหล่าสิม ม.5/1 เลขที่ 15
ตัวต้านทานชนิดค่าคงที่มีหลายประเภท ในการนำมาประกอบใช้ในวงจร ทางด้านอิเล็กทรอนิกส์โดยทั่วไป ดังนี้
1. ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม (Carbon Composition)
2. ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ ( Metal Film)
3. ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอน (Carbon Film)
4. ตัวต้านทานแบบไวร์วาวด์ (Wire Wound)
5. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มหนา ( Thick Film Network)
6. ตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มบาง (Thin Film Network)
นายมกร วงษ์เกิดศรี เลขที่ 10 ม.5/2
ตัวต้านทานในที่นี้มีหลายประเภท ขอยกตัวอย่างประเภทตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอน เป็นตัวต้านทานแบบค่าคงที่โดยการฉาบผงคาร์บอน ลงบนแท่งเซรามิคซึ่งเป็นฉนวน หลังจากที่ทำการเคลือบแล้ว จะตัดฟิล์มเป็นวงแหวนเหมือนเกลียวน๊อต ในกรณีที่เคลือบฟิล์มคาร์บอนในปริมาณน้อย จะทำให้ได้ค่าความต้านทานสูง แต่ถ้าเพิ่มฟิล์มคาร์บอนในปริมาณมากขึ้น จะทำให้ได้ค่าความต้านทานต่ำ
นายจักรภัทร์ เพชรแอว ม.5/1 เลขที่ 2